三星发表业界首个12层3D-TSV芯片封装工艺:帮助满足大容

2019-11-07 08:48:45   【浏览】387

北京时间今天上午,三星电子(Samsung Electronics)宣布,已成功开发出一种新的12层3d-tsv芯片封装工艺,这是业界第一个将3d tsv封装从之前最多8层推至12层的工艺。

目前,越来越多的产品被用于3d-tsv封装技术,即hbm视频存储器。Tsv技术被称为穿透硅。该技术通过在芯片中的孔中填充金属导电材料来实现多层芯片之间的互连。与传统的pop方法相比,它具有更快的速度和更高的密度。因此,对于3d堆叠芯片具有重要意义。

三星一直是3d-tsv技术的领导者。新的12层dram封装技术要求在整个封装中打开超过60,000个tsv孔,并且每个孔的厚度不超过二十分之一毛。

使用新的12层3d-tsv封装的芯片厚度仍然与当前的8层hbm2产品相同,为720 μ m。保持相同的厚度允许客户使用新的12层封装产品,而无需修改现有设计,这意味着他们可以直接使用更大容量的产品。

三星电子tsp(测试和系统封装)执行副总裁baek hong-joo说:

三星将依靠这一行业领先的包装技术来满足市场对高容量hbm的需求——它正在快速增长。巩固三星在高端半导体市场的领先地位。

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